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各种幸运彩快三平台器比较(PCM,STT RAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)

2017-02-07 14:00来源:幸运彩快三平台网
导读:各种幸运彩快三平台器比较(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD),看出忆阻器在集成密度,数据的读写时间有着比较明显的优势
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综合起来可以看出忆阻器在集成密度,数据的读写时间有着比较明显的优势,

Endurance:代表器件最大的擦写次数;

STTRAM幸运彩快三:自旋扭矩转换随机幸运彩快三平台器,物理机制是磁致阻变效应;

SRAM:静态随机幸运彩快三平台器,主要用来制造CPU与主板之间的缓存。

  • 优点是速度快(可以看到这种幸运彩快三平台器的读写速度是最快的);
  • 缺点是集成密度低,掉电不能保存数据。

DRAM幸运彩快三:动态随机幸运彩快三平台器,用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和DRAM相比,也可以用来制造内存。

Flash(NAND)幸运彩快三:闪存。用途:固态硬盘,便携式幸运彩快三平台器。

HDD:硬盘。

  • 优点是价格低廉(这种幸运彩快三平台器的单位容量所需要的价格是最低的,
  • 缺点也是显而易见的,读写速度比其他幸运彩快三平台器低很多数量级。
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